无屏蔽罩的矩形平面磁控溅射靶的设计

华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2003, Vol. 31 ›› Issue (1): 38-41.

无屏蔽罩的矩形平面磁控溅射靶的设计

常天海

华南理工大学电子与信息工程学院广东广州510640

出版日期:2003-01-20 发布日期:2022-04-02
通信作者: 常天海（1964－）男副教授主要从事薄膜及光电子技术研究．
作者简介:常天海（1964－）男副教授主要从事薄膜及光电子技术研究．

Design on Rectangular Planar Magnetron Sputtering Target Without Shielding Cover

Chang Tian-hai

College of Electronic＆Information EngineeringSouth China Univ．of Tech．Guangzhou510640China

Online:2003-01-20 Published:2022-04-02

摘要/Abstract

摘要： 通过理论分析、实际设计和实验对矩形平面磁控溅射靶表面水平磁感应强度 B的传统取值上限进行了拓展．结果表明：若阴极靶体下表面和4个侧面的的磁感应强度被屏蔽低于0．0005T同时上表面覆盖同一靶材则可抛弃屏蔽罩采用裸靶结构靶表面的水平磁感应强度 B 就可以远高于0．05T达到0．09T；此外B 的增加显著降低了磁控溅射镀膜工艺的着火电压和维持放电电压为实现低电压磁控溅射提供了另外一种思路．

关键词: 磁控溅射, 屏蔽罩, 磁感应强度, 设计

Abstract: The traditional upper limit of magnetic induction density B parallel to target surface in rectangular planar magnetron sputtering target has been increased by analyzingdesigning and experimenting．The results show that shielding cover can be discardednaked target can be adopted and the B can exceed0．05T greatly and achieved0．09T under the condition of the of magnetic induction density paral - lel to cathode bottom and sides under0．0005T by shieldingand at the same time the cathode upper surface is covered with the same kind of target material．Further morethe increase of B reduced greatly the touching off and keeping discharge voltages during magnetron sputtering coatingwhich gives another approach to lower voltage magnetron sputtering．

Key words: magnetron sputtering, shielding cover, magnetic induction density, design

常天海. 无屏蔽罩的矩形平面磁控溅射靶的设计[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2003, 31(1): 38-41.

Chang Tian-hai. Design on Rectangular Planar Magnetron Sputtering Target Without Shielding Cover[J]. Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition), 2003, 31(1): 38-41.

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