华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2003, Vol. 31 ›› Issue (7): 61-64.
刘玉荣 李观启 黄美浅
LIU Yu-rong LI Guan-qi
摘要: 在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH_4和O_2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO_2薄膜。用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si—H、Si—OH相应的红外吸收峰,Si—O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1054~1069cm-1之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO_2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×1010~3×1011cm-2范围内;XPS分析表明,SiO_2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×1015个原子。