Si/Mo 结构烧结应力随烧结温度的变化

华南理工大学学报（自然科学版） ›› 2005, Vol. 33 ›› Issue (9): 63-66,81.

Si/Mo 结构烧结应力随烧结温度的变化

韩静赵寿南

华南理工大学理科学与技术学院，广东广州 510640

收稿日期:2004-05-12 出版日期:2005-09-25 发布日期:2005-09-25
通信作者: 韩静(1975-)，女，讲师，博士生，主要从事半导体器件可靠性的研究 E-mail:jinghan@scut.edu.cn
作者简介:韩静(1975-)，女，讲师，博士生，主要从事半导体器件可靠性的研究

Variation of Sintering Stress in Si/Mo Structure with Sintering Temperature

Han Jing Zhao Shou-nan

College of Physical Science and Technology,South China Univ.of Tech.,Guangzhou 510640,Guangdong,China

Received:2004-05-12 Online:2005-09-25 Published:2005-09-25
Contact: Han Jing(born in 1975)，female,lecturer,Ph．D.candidate，mainly researches on the reliability of micro—electronic devices E-mail:jinghan@scut.edu.cn
About author:Han Jing(born in 1975)，female，lecturer,Ph.D.candidate，mainly researches on the reliability of micro—electronic devices

摘要/Abstract

摘要： 提出了一种新的低温烧结钼结构的方法．根据热弹性理论和复合材料层间应力理论，分析了不同烧结温度下钼结构的层间应力情况，并采用红外光弹系统测量了硅片中的应力分布、实验结果表明，硅片中的应力分布随烧结温度的不同而不同，应力随烧结温度的降低而减小．将实验结果与理论结果进行比较，发现两者吻合较好，从而验证了理论分析的正确性．

关键词: 硅, 烧结应力, 烧结温度, 红外光弹

Abstract:

A new method was first proposed to realize the low-temperature sinterlng of Si//Mo structure.Then,according to the theories of thermoelasticity and interlaminar stress of composites,the interlaminar stresses of the Si/Mo structure at diferent sintering temperatures were analyzed.Moreover,the stress distribution in the Si wafer was measured by using a infrared photoelastic system.Experimental results indicate that the stress distribution
varies with the sintering temperature,and that the stress decreases with the sintering temperature.By the comparison between the experimental and theoretical results,good consistency is obtained,thus verifying the correctness of the theoretical analyses.

Key words: silicon, sintering stress, sintering temperature, infrared photoelasticity

韩静赵寿南. Si/Mo 结构烧结应力随烧结温度的变化[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2005, 33(9): 63-66,81.

Han Jing Zhao Shou-nan. Variation of Sintering Stress in Si/Mo Structure with Sintering Temperature[J]. Journal of South China University of Technology (Natural Science Edition), 2005, 33(9): 63-66,81.

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