华南理工大学学报（自然科学版） ›› 2013, Vol. 41 ›› Issue (5): 28-33.doi: 10.3969/j.issn.1000-565X.2013.05.005
新型高线性度双平衡CMOS 混频器芯片的设计
赵明剑 李斌† 吴朝晖
- 华南理工大学 电子与信息学院，广东 广州510640
Design of Novel High-Linearity Double-Balanced CMOS Mixer
Zhao Ming-jian Li Bin Wu Zhao-hui
- School of Electronic and Information Engineering,South China University of Technology,Guangzhou 510640,Guangdong,China
摘要： 设计了一款用于无线通信射频系统的新型双平衡混频器芯片，该混频器的输出信号中不存在与射频输入信号相关的二次非理想项，具有高线性度．该混频器基于新型乘法器结构，在两个工作于线性区的对称金属氧化物半导体( MOS) 晶体管的源、漏两极加入差分射频信号，在其栅极加入差分本振信号，从而以低复杂度方式实现射频信号与本振信号的双平衡混频或相乘; 采用差分推挽放大器及源随器作为芯片的输出缓冲接口，改善了芯片与片外电路之间的隔离度，提高了功率增益和输出匹配性能．芯片采用0.18 μm 射频( R F) 互补金属氧化物半导体( CMOS) 工艺流片，实现超宽频带范围内的信号混频或相乘，1 dB 压缩点2.9 dBm，三阶交调16 dBm，总功耗25 mW，芯片性能良好，可以满足高性能、超宽带、高速无线通信系统的要求．
中图分类号:
