Ta2O5的氢热处理对有机薄膜晶体管性能的影响

华南理工大学学报（自然科学版） ›› 2006, Vol. 34 ›› Issue (10): 105-108,112.

Ta₂O₅的氢热处理对有机薄膜晶体管性能的影响

彭俊彪兰林锋杨开霞牛巧丽曹镛

华南理工大学高分子光电材料及器件研究所，广东广州 510640

收稿日期:2005-09-02 出版日期:2006-10-25 发布日期:2006-10-25
通信作者: 彭俊彪(1962-)，男，博士，教授，主要从事高分子光电器件物理研究． E-mail:psjbpeng@scut.edu.cn
作者简介:彭俊彪(1962-)，男，博士，教授，主要从事高分子光电器件物理研究．
基金资助:
国家自然科学基金资助项目(90201023，50573024)；国家973计划项目(2002CB613405)

Infuence of Thermal Treatments of Ta₂O₅Gate Insulator in H₂Atmosphere on Performance of Organic Thin-Film Transistors

Peng Jun-biao Lan Lin-feng Yang Kai-xia Niu Qiao-li Cao Yong

Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,South China Univ.of Tech.,Guangzhou 510640,Guangdong,China

Received:2005-09-02 Online:2006-10-25 Published:2006-10-25
Contact: 彭俊彪(1962-)，男，博士，教授，主要从事高分子光电器件物理研究． E-mail:psjbpeng@scut.edu.cn
About author:彭俊彪(1962-)，男，博士，教授，主要从事高分子光电器件物理研究．
Supported by:
国家自然科学基金资助项目(90201023，50573024)；国家973计划项目(2002CB613405)

摘要/Abstract

摘要： 以高分子聚(2-甲氧基-5-(2-乙基-已氧基)-1，4-苯撑乙烯撑)(MEH-PPV)为半导体有源层、Ta₂O₅为绝缘层，制备了有机薄膜晶体管(OTFT)，研究了氢热处理Ta₂O₅绝缘层对OTFT性能的影响，并对该器件性能改善的原因进行了分析．结果表明，经氢热处理的Ta₂O₅ 绝缘层使MEH-PPV的场效应迁移率提高了一个数量级，从1．24×10^-5 cm²/(V·S)提高到2．15×10^-4 cm² /(V·s)，阈值电压有所降低．

关键词: 有机晶体管, 氧化钽, 氢热处理

Abstract:

A kind of organic thin．film transistor(OTFT)was fabricated withTa₂O₅as the gate insulator and poly(2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene-vinylene)(MEH-PPV)as the active material.The influence of therm al treatment of theTa₂O₅ gate insulator in H₂,atmosphere on the perform ance of OTFT was then discussed,and the re.asons for the perform ance improvement of OTFT were analyzed．The results show that,after the therm al treat-ment of the Ta₂O₅gate insulator in H₂ atmosphere,the field effect mobility of MEH-PPV can be greatly enhanced from 1.24×10^-5 cm² /(V·S)to 2.15×10^-4cm ²/(V·S),while the threshold voltage decreases.

Key words: organic transistor, tantalum oxide, thermal treatment in H₂ atmosphere

彭俊彪兰林锋杨开霞牛巧丽曹镛. Ta₂O₅的氢热处理对有机薄膜晶体管性能的影响[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2006, 34(10): 105-108,112.

Peng Jun-biao Lan Lin-feng Yang Kai-xia Niu Qiao-li Cao Yong. Infuence of Thermal Treatments of Ta₂O₅Gate Insulator in H₂Atmosphere on Performance of Organic Thin-Film Transistors[J]. Journal of South China University of Technology (Natural Science Edition), 2006, 34(10): 105-108,112.

Ta₂O₅的氢热处理对有机薄膜晶体管性能的影响

Infuence of Thermal Treatments of Ta₂O₅Gate Insulator in H₂Atmosphere on Performance of Organic Thin-Film Transistors

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 0

编辑推荐

Metrics

本文评价