PTPD/Alq3异质结电致发光二极管及其稳定性

华南理工大学学报（自然科学版） ›› 2006, Vol. 34 ›› Issue (1): 48-51.

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PTPD/Alq₃异质结电致发光二极管及其稳定性

聂海张波唐先忠李元勋

电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都 610054

收稿日期:2004-12-03 出版日期:2006-01-25 发布日期:2006-01-25
通信作者: 聂海(1964-)，男，博士生，主要从事有机电致发光材料与器件方面的研究 E-mail:nearhigh@vip.sina.oom
作者简介:聂海(1964-)，男，博士生，主要从事有机电致发光材料与器件方面的研究
基金资助:
四川省重点科技攻关资助项目(03GG009-002)

PTPD/AIq₃ Heterostructure Electroluminescent Diode and Its Stability

Nie Hai Zhang Bo Tang Xian-zhong Li Yuan-xun

School of Microelectronics and Solid-State Electronics,Univ.of Electronics Science and Tech.of China,Chengdu 610054,Sichuan,China

Received:2004-12-03 Online:2006-01-25 Published:2006-01-25
Contact: 聂海(1964-)，男，博士生，主要从事有机电致发光材料与器件方面的研究 E-mail:nearhigh@vip.sina.oom
About author:聂海(1964-)，男，博士生，主要从事有机电致发光材料与器件方面的研究
Supported by:
四川省重点科技攻关资助项目(03GG009-002)

摘要/Abstract

摘要： 采用新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合物( PD)制成了ITO(氧化铟锡)/PTPD/Alq₃ (8-羟基喹啉铝)/Mg：Ag异质结电致发光器件，考察了其电致发光特性．结果表明，当Alq 厚度很薄(小于或等于10nm)时，器件仅为 PD层特征发光；当Alq₃厚度达到50/lm时，器件仅为Alq₃层特征发光．将所制得的器件与典型的ITO/TPD/AIq₃/Mg：Ag器件进行了比较，发现稳定性明显提高，其原因是PTPD的热稳定性高、成膜质量好．

关键词: 聚TPD, 二极管, 异质结, 有机电致发光

Abstract:

ITO/PTPD/Alq₃/Mg:Ag heterostructure electroluminescent diode was fabricated by using a novel poly-TPD as the hole transport material，and its electroluminescent properties was investigated.The results indicate that only the intrinsic emission of PD(poly-TPD)is obtained when Alq₃ layer is very thin(not more than 10 nm),and that only the intrinsic emission of Alq₃ is obtained when the thickness of Alq₃ layer is up to 50 nm.Moreover,the fabricated diode is of an improved stability due to the excellent thermal stability and film quality of PTPD,as, compare with the typical ITO/TPD/Alq₃/Mg:Ag device.

Key words: poly-TPD, diode, heterostructure, organic electroluminescence

聂海张波唐先忠李元勋. PTPD/Alq₃异质结电致发光二极管及其稳定性[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2006, 34(1): 48-51.

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PTPD/Alq₃异质结电致发光二极管及其稳定性

PTPD/AIq₃ Heterostructure Electroluminescent Diode and Its Stability

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