双层多晶FLOTOX E2PROM 的阈值电压退化特性

华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2004, Vol. 32 ›› Issue (8): 18-21.

双层多晶FLOTOX E²PROM 的阈值电压退化特性

罗宏伟¹ 恩云飞² 杨银堂¹ 朱樟明¹ 解斌³ 王金延³

1．西安电子科技大学微电子所陕西西安710071；2．信息产业部电子五所分析中心广东广州510610；3．北京大学微电子所北京100871

收稿日期:2003-12-16 出版日期:2004-08-20 发布日期:2015-09-09
通信作者: 罗宏伟（1968－）男博士生现就职于信息产业部电子五所主要从事微电子可靠性物理研究、失效分析与可靠性设计工作． E-mail:luohw＠163.net
作者简介:罗宏伟（1968－）男博士生现就职于信息产业部电子五所主要从事微电子可靠性物理研究、失效分析与可靠性设计工作．
基金资助:
国家级重点实验室基金资助项目（00JS03．2．1．W0205)

Threshold Voltage Degradation Features of Double Polysilicon FLOTOX E²PROM

Luo Hong-wei¹ En Yun-fei² Yang Yin-tang¹ Zhu Zhang-ming¹ Xie Bin³ Wang Jin-yan³

1．Microelectronics InstituteXidian Univ．Xʾ i an710071ShaanxiChina；
2．No．5Institute（Electronics） of Ministry of Information IndustryGuangzhou510610GuangdongChina；
3．Microelectronics InstitutePeking UniversityBeijing100871China

Received:2003-12-16 Online:2004-08-20 Published:2015-09-09
Contact: 罗宏伟（1968－）男博士生现就职于信息产业部电子五所主要从事微电子可靠性物理研究、失效分析与可靠性设计工作． E-mail:luohw＠163.net
About author:罗宏伟（1968－）男博士生现就职于信息产业部电子五所主要从事微电子可靠性物理研究、失效分析与可靠性设计工作．

摘要/Abstract

摘要： 基于FLOTOX E2PROM结构分析了影响FLOTOX E2PROM可靠性的主要因素包括可编程窗口退化、电荷保持特性退化及与时间有关的隧道氧化层击穿（TDDB）等发现FLOTOX 的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关．实验表明擦／写电压应力周期、脉冲电压应力大小及脉冲宽度的变化都会影响 FLOTOX E2PROM 阈值电压的变化分析认为隧穿氧化层中产生的缺陷（陷阱电荷）是引起FLOTOX E2PROM阈值电压退化的主要原因隧道氧化层中的陷阱电荷通过影响注入电场使阈值电压增加或减少．

关键词: FLOTOX E2PROM, 阈值电压, 陷阱电荷, 可靠性

Abstract: Based on the structure of FLOTOX E2PROM cellthe main factors influencing the reliability of FLOTOX E2PROM were analyzedincluding the degradation of the programmable windowsthe degradation of the charge retention characteristics and the time-dependent dielectric breakdown （TDDB）．It is found that the reliability of FLOTOX is much correlative with the quality of the tunnel oxide．A series of experiments show that the write／erase periodthe pulse voltage amplitude and the pulse width all affect the variation of the threshold voltage．It is also found that the trap charge resulting from the tunnel oxide proves to be the main cause of the threshold voltage degradation of FLOTOX E2PROMas it can increase or decrease the threshold voltage by affecting the injected electric field．

Key words: FLOTOX E2PROM, threshold voltage, trap charge, reliability

中图分类号:

TN406

罗宏伟, 恩云飞, 杨银堂, 等. 双层多晶FLOTOX E²PROM 的阈值电压退化特性[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2004, 32(8): 18-21.

Luo Hong-wei, En Yun-fei, Yang Yin-tang, et al. Threshold Voltage Degradation Features of Double Polysilicon FLOTOX E²PROM[J]. Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition), 2004, 32(8): 18-21.

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双层多晶FLOTOX E²PROM 的阈值电压退化特性

Threshold Voltage Degradation Features of Double Polysilicon FLOTOX E²PROM

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