氧退火对Ba1-xSrxTiO3 薄膜电荷存储特性的影响

华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2004, Vol. 32 ›› Issue (8): 13-17.

氧退火对Ba_1-xSr_xTiO₃ 薄膜电荷存储特性的影响

陈平黄美浅李斌李观启

华南理工大学应用物理系广东广州510640

收稿日期:2004-01-11 出版日期:2004-08-20 发布日期:2015-09-09
通信作者: 陈平（1969－）女工程师主要从事半导体集成传感器、半导体器件物理的研究。 E-mail:Phpchen＠scut.edu.cn
作者简介:陈平（1969－）女工程师主要从事半导体集成传感器、半导体器件物理的研究。
基金资助:
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目；华南理工大学自然科学基金资助项目

Influence of Oxygen Annealing on the Charge Storage Character of Ba_1-xSr_xTiO₃ Thin Film

Chen Ping Huang Mei-qian Li Bin Li Guan-qi

College of Electronic＆Information EngineeringSouth China Univ．of Tech．Guangzhou510640GuangdongChina

Received:2004-01-11 Online:2004-08-20 Published:2015-09-09
Contact: 陈平（1969－）女工程师主要从事半导体集成传感器、半导体器件物理的研究。 E-mail:Phpchen＠scut.edu.cn
About author:陈平（1969－）女工程师主要从事半导体集成传感器、半导体器件物理的研究。

摘要/Abstract

摘要： 采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡（Ba 1－x Sr x TiO 3 ）薄膜再在氧气氛中进行不同条件的退火处理然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极从而形成金属－绝缘体－氧化物－半导体（MIOS）双介质电容器结构．通过该薄膜电容器的充放电实验研究薄膜的电荷存储特性．结果表明该薄膜在不超过800☞℃下退火其电荷存储能力主要与氧组分有关；氧空位越多电荷存储能力越强．

关键词: Ba_xSr_1-xTiO₃薄膜, 电荷存储特性, MIOS 结构, 退火, 氧空位, 陷阱

Abstract: Ba 1－x Sr x TiO 3 （BST） thin films were firstly deposited on dry-oxidized silicon substrate by using the argon-ion beam sputtering technique and the silicon planner process．Nextan annealing was carried out in oxygen atmo-sphere under different conditions．By means of the aluminum etching technique and the photoetching techniquean a-luminum electrode was then madethus constructing the double dielectric capacitor structure of meta- l insulation-oxide-silicon （MIOS）．The charge storage character of the thin-film capacitor was finally investigated by the charge and dis-charge experiment．The results show thatwith the annealing temperature of no more than800℃the charge storageability of the thin film depends mainly on the oxygen ingredient．The more oxygen vacancies arethe greater the charge storage ability is．

Key words: Ba_1-xSr_xTiO₃ thin film, charge storage ability, MIOS structure, annealing, oxygen vacancy, trap

中图分类号:

TN432

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Chen Ping, Huang Mei-qian, Li Bin, et al. Influence of Oxygen Annealing on the Charge Storage Character of Ba_1-xSr_xTiO₃ Thin Film[J]. Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition), 2004, 32(8): 13-17.

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氧退火对Ba_1-xSr_xTiO₃ 薄膜电荷存储特性的影响

Influence of Oxygen Annealing on the Charge Storage Character of Ba_1-xSr_xTiO₃ Thin Film

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