利用背面 Ar ＋轰击改善 n 沟 MOSFET 线性区的特性

黄美浅, 陈平, 李旭, 等

Improvement of Characteristics in Linear Region of n-MOSFET Using Backsurface Ar ＋ Bombardment

Huang Mei-qian, Chen Ping, Li Xu, et al

华南理工大学学报(自然科学版) . 2003, (1): 65 -69 .