华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2003, Vol. 31 ›› Issue (1): 65-69.
黄美浅 陈 平 李 旭 李观启
Huang Mei-qian Chen Ping Li Xu Li Guan-qi
摘要: 研究了利用背面 Ar +轰击改善 n 沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管( nMOSFET)线性区的特性.用低能量(550eV)的 Ar +轰击 n-MOSFET 芯片的背面能有 效地改善其线性区的直流特性如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪 声等.实验结果表明随着轰击时间的增加跨导、沟道电导和表面有效迁移率先增大然 后减小;阈值电压先减小随后变大;而低频噪声在轰击后明显减小.实验证明上述参数 的变化是硅-二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果.
中图分类号: