利用背面 Ar
＋轰击改善 n 沟 MOSFET 线性区的特性

华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2003, Vol. 31 ›› Issue (1): 65-69.

利用背面 Ar ＋轰击改善 n 沟 MOSFET 线性区的特性

黄美浅陈平李旭李观启

出版日期:2003-01-20 发布日期:2022-04-07
通信作者: 黄美浅（1946－）男副教授主要从事微电子学与半导体传感器等方面的研究．
作者简介:黄美浅（1946－）男副教授主要从事微电子学与半导体传感器等方面的研究．

Improvement of Characteristics in Linear Region of n-MOSFET Using Backsurface Ar ＋ Bombardment

Huang Mei-qian Chen Ping Li Xu Li Guan-qi

Dept．of Applied PhysicsSouth China Univ．of Tech．Guangzhou510640China

Online:2003-01-20 Published:2022-04-07
Contact: 黄美浅（1946－）男副教授主要从事微电子学与半导体传感器等方面的研究．
About author:黄美浅（1946－）男副教授主要从事微电子学与半导体传感器等方面的研究．

摘要/Abstract

摘要： 研究了利用背面 Ar ＋轰击改善 n 沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ nMOSFET）线性区的特性．用低能量（550eV）的 Ar ＋轰击 n-MOSFET 芯片的背面能有效地改善其线性区的直流特性如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪声等．实验结果表明随着轰击时间的增加跨导、沟道电导和表面有效迁移率先增大然后减小；阈值电压先减小随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小．实验证明上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果．

关键词: 背面 Ar ＋轰击, MOS 场效应晶体管, 跨导, 迁移率, 噪声

Abstract: Improvement of the characteristics in the linear region of n-MOSFET using the backsurface Ar ＋ bombardment has been investigated．A low energy （550eV） argon-ion-beam is applied to bombard the backside of n-MOSFET chipthus the electrical characteristics of the transconductancechannel conductancethreshold voltageeffective inversion layer carrier mobility and low-frequency noise of the devices in the linear region can be improved．The experiment results indicate thatas the bombardment time increasesthe transconductancechannel conductance and effective inversion layer carrier mobility increase at firstand then decrease；the change tend of the threshold voltage is on the contrary；but the low-frequency noise decreases evidently after bombardment．It is proved that the improvement of these parameters is due to the decrease of interface state density and fixed charge density．

Key words: backsurface Ar ＋ bombardment；MOSFET, transconductance, mobility, noise

中图分类号:

TN304

黄美浅, 陈平, 李旭, 等. 利用背面 Ar ＋轰击改善 n 沟 MOSFET 线性区的特性[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2003, 31(1): 65-69.

Huang Mei-qian, Chen Ping, Li Xu, et al. Improvement of Characteristics in Linear Region of n-MOSFET Using Backsurface Ar ＋ Bombardment[J]. Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition), 2003, 31(1): 65-69.

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