多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型

doi:10.3969/j.issn.1000-565X.2010.10.005

华南理工大学学报（自然科学版） ›› 2010, Vol. 38 ›› Issue (10): 24-29,35.doi: 10.3969/j.issn.1000-565X.2010.10.005

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多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型

黄君凯¹ 郑学仁¹ 邓婉玲²

1.华南理工大学电子与信息学院, 广东广州 510640；2.暨南大学信息科学技术学院, 广东广州 510630

收稿日期:2009-11-23 修回日期:2010-01-11 出版日期:2010-10-25 发布日期:2010-10-25
通信作者: 黄君凯（1963-），男，在职博士生，暨南大学教授，主要从事多晶硅薄膜晶体管物理特性和建模研究． E-mail:hjk196310@126．com
作者简介:黄君凯（1963-），男，在职博士生，暨南大学教授，主要从事多晶硅薄膜晶体管物理特性和建模研究．
基金资助:
广东省教育部产学研结合项目（2008A090400011）

Leakage Current and Noise Model of Polysilicon Thin-Film Transistors

Huang Jun-kai¹ Zheng Xue-ren¹ Deng Wan-ling²

1.School of Electronic and Information Engineering,South China University of Technology,Guangzhou 510640,Guangdong,China;2.College of Information Science and Technology,Jinan University,Guangzhou 510630,Guangdong,China

Received:2009-11-23 Revised:2010-01-11 Online:2010-10-25 Published:2010-10-25
Contact: 黄君凯（1963-），男，在职博士生，暨南大学教授，主要从事多晶硅薄膜晶体管物理特性和建模研究． E-mail:hjk196310@126．com
About author:黄君凯（1963-），男，在职博士生，暨南大学教授，主要从事多晶硅薄膜晶体管物理特性和建模研究．
Supported by:
广东省教育部产学研结合项目（2008A090400011）

摘要/Abstract

摘要： 为了建立适用于电路仿真器的泄漏区模型,通过泄漏电流、激活能和低频噪声等研究了多晶硅薄膜晶体管的泄漏产生机制.在不同的电场条件下,基于不同的泄漏产生机制,提出了产生-复合率的分区近似计算模型,并统一成适用于1×106~5×108V/m电场范围的泄漏电流模型.同时,建立了中低电场区的激活能模型和泄漏区低频噪声紧凑模型.将模型仿真结果与实验数据进行了比较,证明了所建立模型的有效性,且模型适用于电路仿真器.

关键词: 多晶硅, 薄膜晶体管, 泄漏电流, 激活能, 低频噪声模型

Abstract:

In order to establish a suitable model to describe the leakage region of circuit simulators,the leakage generation mechanism of polysilicon thin-film transistors is investigated in terms of current,activation energy and low-frequency noise,etc.Then,based on different leakage mechanisms,some approximations of the generation-recombination model are proposed,and a unified leakage current model suitable for the electric field of 1×106~5×108 V/m is deduced.Moreover,the activation energy models for low and moderate electric fields are derived,and a compact model for low-frequency leakage current noise is put forward.Comparisons between the simulated and the experimental results show that the proposed models are all effective and suitable for circuit simulators.

Key words: polysilicon, thin-film transistors, leakage current, activation energy, low-frequency noise model

黄君凯郑学仁邓婉玲. 多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2010, 38(10): 24-29,35.

Huang Jun-kai Zheng Xue-ren Deng Wan-ling. Leakage Current and Noise Model of Polysilicon Thin-Film Transistors[J]. Journal of South China University of Technology (Natural Science Edition), 2010, 38(10): 24-29,35.

[1]	姚若河林少龙. 基于a- IGZO TFTs 的低功耗D 触发器设计[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2017, 45(3): 42-47.
[2]	蔡旻熹姚若河. 双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2016, 44(9): 61-66,72.
[3]	秦剑姚若河. 非对称双栅结构a-Si: H 薄膜晶体管沟道电势统一模型[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2016, 44(1): 30-36,43.
[4]	兰林锋宋威史文彭俊彪. 低温溶液加工法制备氧化锌薄膜晶体管[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2015, 43(3): 98-102.
[5]	刘玉荣李晓明苏晶. 有源层厚度对ZnO 薄膜晶体管电学性能的影响[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2013, 41(9): 23-27,94.
[6]	王聪刘玉荣李星活苏晶姚若河. 氧化锌薄膜晶体管的光诱导不稳定性[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2013, 41(6): 11-16.
[7]	杜兆斌杨泽明谌军邱有强梁敬成牛海清. 超高压海底电缆护套环流的理论计算新方法[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2013, 41(12): 63-69.
[8]	严炳辉李斌姚若河吴为敬. 基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2012, 40(3): 64-68,125.
[9]	曹镛陶洪邹建华徐苗兰林锋王磊彭俊彪. 金属氧化物薄膜晶体管及其在新型显示中的应用[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2012, 40(10): 1-11.
[10]	刘玉荣任力飞杨任花韩静姚若河温智超徐海红许佳雄. 退火温度对ZnO 薄膜晶体管电特性的影响[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2011, 39(9): 103-107.
[11]	吴穹姚若河刘玉荣. 基于表面势的有机薄膜晶体管漏电流的解析模型[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2011, 39(10): 1-6.
[12]	姚若河欧秀平. 多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2010, 38(5): 61-64.
[13]	刘玉荣左青云彭俊彪黄美浅. 聚3-己基噻吩聚合物薄膜晶体管的稳定性[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2010, 38(5): 65-70.
[14]	姚若河欧秀平. 低掺杂多晶硅TFT阈值电压的确定和提取[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2010, 38(1): 14-17,43.
[15]	刘远姚若河李斌. 非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2009, 37(1): 15-18,23.

多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型

Leakage Current and Noise Model of Polysilicon Thin-Film Transistors

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