华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2015, Vol. 43 ›› Issue (7): 1-7.doi: 10.3969/j.issn.1000-565X.2015.07.001
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李康 李文芳† 张果戈 段奇
Li Kang Li Wen-fang Zhang Guo-ge Duan Qi
摘要: 分别对含硅量为 0.5%、5.0%、9.0% 和 12.0% 的 4 种铝合金在不同微弧氧化 (MAO)模式下处理 15 min 的成膜过程、膜层特征及能耗等进行了研究,通过 SEM、EDS、 XRD 等对膜层进行了表征. 结果表明:恒流条件下,随基体中硅含量的增加,合金的正向 电压上升速率逐渐减缓,起弧前的等待时间显著延长,起弧电压和放电反应阶段的电压值 也逐渐减小,膜层的平均生长速率明显下降,膜层表面的放电通道孔数目逐渐增多;恒压 条件下,基体中硅含量对铝合金 MAO 的影响相对较弱,当硅元素增加时,合金的正、负向 电流密度均逐渐增大,膜层的生长速率渐渐减小,但它们的表面形貌相差较小;各 Al-Si 合金在恒流和恒压两种 MAO 模式下生成的膜层均主要由 γ-Al2O3 、α-Al2O3 及莫来石组 成,且随基体中硅的增加,Al2O3 的含量逐渐下降;相同 MAO 模式下,各合金生成的膜层的 单位体积能耗值随其 Si 含量的增加而逐渐增大;此外,同种 Al-Si 合金在不同氧化模式下 制得的 MAO 膜层的特征及能耗差异较大.
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