华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2004, Vol. 32 ›› Issue (9): 46-49.

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Al2O3 /Al Lanxide 复合材料中气孔的形成机理及影响因素

周曦亚 高钦   

  1. 1.华南理工大学 材料科学与工程学院, 广东 广州 510640;2.大连理工大学 材料工程系, 辽宁 大连 116023
  • 收稿日期:2003-12-16 出版日期:2004-09-20 发布日期:2015-09-09
  • 通信作者: 周曦亚(1966-), 男, 副研究员, 主要从事陶瓷复合材料方面的研究. E-mail:imxyzhou@scut.edu.cn
  • 作者简介:周曦亚(1966-), 男, 副研究员, 主要从事陶瓷复合材料方面的研究.
  • 基金资助:
    国家“863”基金资助项目(863-715-21-05)

Formation Mechanism and Effecting Factors of the Gas Holes in the Al2O3 /Al Lanxide Composites

Zhou Xi- ya Gao Qin   

  1. 1.College of Materials Science and Engineering, South China Univ.of Tech., Guangzhou 510640, Guangdong, China;
    2.Dept.of Materials Engineering, Dalian Univ.of Tech., Dalian 116023, Liaoning, China
  • Received:2003-12-16 Online:2004-09-20 Published:2015-09-09
  • Contact: 周曦亚(1966-), 男, 副研究员, 主要从事陶瓷复合材料方面的研究. E-mail:imxyzhou@scut.edu.cn
  • About author:周曦亚(1966-), 男, 副研究员, 主要从事陶瓷复合材料方面的研究.

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摘要： 在实验基础上提出了铝合金熔体直接氧化形成的 Al 2 O 3 /Al Lanxide 复合材料中气孔的形成机理 ;考察了母合金中掺杂元素(Mg、Si)含量和工艺温度对 Al 2 O 3 /Al Lan-xide复合材料气孔率的影响规律.研究结果表明, 当工艺温度升高时 ,Al 2 O 3 /Al Lanxide 复合材料的气孔率降低 ;当母合金中的镁含量增加时, 材料的气孔率上升 ;而母合金中的硅含量对材料的气孔率几乎无影响。

关键词: Al2O3/Al Lanxide 复合材料, 直接氧化, 气孔, 铝合金

Abstract: This paper puts forward the mechanism of the gas hole formation in the Al 2 O 3 /Al Lanxide composites formed by the direct oxidation of molten aluminum alloy based on the experiments.The effects of the processing tem-perature and the contents of doped elements Mg and Si in the parent alloy on the gas hole contents of Al 2 O 3 /Al Lanx-ide were also investigated .It is revealed that the gas hole contents in the Al 2 O 3 /Al Lanxide composites decrease with the increase in the processing temperaure and with the decrease in the Mg content in the parent alloy, and that the con-tent of Si in the parent alloy has little effect on the gas hole contents.

Key words: Al2O3/Al Lanxide composite, direct oxidation, gas hole, aluminum alloy

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