低能量氩离子束轰击改善双极型晶体管的噪声特性

华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2003, Vol. 31 ›› Issue (8): 19-22.

低能量氩离子束轰击改善双极型晶体管的噪声特性

李旭黄美浅陈平李观启

华南理工大学应用物理系广东广州510640

出版日期:2003-08-20 发布日期:2022-05-06
作者简介:李旭（1958－）男讲师主要从事微电子学的研究．

Improvement Noise Characteristics of Bipolar Junction Transistors Using Low Energy Argon Ion Beam Bombardment

Li Xu Huang Me-i qian Chen Ping Li Guan-qi

Dept．of Applied Physics South China Univ．of Tech．Guangzhou510640 China

Online:2003-08-20 Published:2022-05-06

摘要/Abstract

摘要： 在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后，采用低能量氩离子束轰击芯片背面，能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数．实验结果表明晶体管低频噪声系数的下降与硅－二氧化硅界面的界面态密度的减小有关，而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果．

关键词: 氩离子, 轰击, 噪声, 寿命, 晶体管

Abstract: A low energy argon ion beam has been applied to bombard the backsurface of silicon wafers after the ultrahigh frequency low power transistors are fabricated and the noise coefficient of low frequency and high frequency can be decreased effectively the characteristics frequency and current gain of direction current can be increased．The experimental results show that the decreasing of low frequency noise coefficient are relevant to the decreasing of interface state density at SiO2－Si system and the reduction of high frequency is owing to the increasing of the characteristics frequency and current gain of direction current．

Key words: argon ion, bombardment, noise, lifetime, transistor

中图分类号:

TN304

李旭黄美浅陈平李观启. 低能量氩离子束轰击改善双极型晶体管的噪声特性[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2003, 31(8): 19-22.

Li Xu Huang Me-i qian Chen Ping Li Guan-qi. Improvement Noise Characteristics of Bipolar Junction Transistors Using Low Energy Argon Ion Beam Bombardment[J]. Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition), 2003, 31(8): 19-22.

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