华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2016, Vol. 44 ›› Issue (5): 36-41,47.doi: 10.3969/j.issn.1000-565X.2016.05.006
林晓玲1 恩云飞1 姚若河2†
LIN Xiao-ling1 EN Yun-fei1 YAO Ruo-he2
摘要: 三维(3D)叠层封装集成电路是高性能器件的一种重要封装形式,其独特的封装形式为失效定位带来了新的挑战. 文中融合实时锁定热成像和 X 射线探测技术,提出了一种 3D 叠层封装集成电路缺陷定位方法. 该方法首先利用 X 射线探测技术从器件的正面、侧面获取电路内部结构并成像,进而确定芯片的装配位置及面积、芯片叠层层数、引线键合方式;然后利用锁定热成像技术获得缺陷在封装内部传播的延迟信息及在封装内部xy 平面上的信息,通过计算不同频率下的相移来确定叠层封装中缺陷在 z 轴方向的位置信息. 对某型号塑料封装存储器 SDRAM 中缺陷的定位及对缺陷部位的物理分析表明,锁定热成像与 X 射线探测技术相结合,可以在不开封的前提下进行 3D 叠层封装集成电路内部缺陷的定位.
中图分类号: