GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻RD,S。准确构建GaN HEMT RD,S模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究给出考虑自热和准饱和效应的RD,S模型。首先由源漏通道区温度TCH与耗散功率Pdiss的关系,推导出非线性自热效应模型。进一步基于准饱和效应和Trofimenkoff模型,给出源漏通道区电子漂移速度与电场强度的关系表达式,构建非线性RD,S模型。在环境温度Tamb = 300 ~ 500 K时,源漏通道区二维电子气2DEG面密度nS,acc(TCH)和迁移率μacc(TCH)随TCH的升高而下降,这导致低偏置条件下的源漏通道区电阻RD0,S0随TCH呈非线性增长。将本研究和文献报道的RD,S模型与TCAD (Technology Computer Aided Design)仿真数据进行对比,结果显示:本研究与文献报道的漏通道区电阻RD模型的平均相对误差分别为0.32%和1.78%,均方根误差(RMSE)分别为0.039和0.20 Ω;RS模型的平均相对误差分别为0.76%和1.73%,RMSE分别为0.023和0.047 Ω。与文献报道的实验数据进行对比,结果显示:本研究与文献RD模型的平均相对误差分别为0.91%和1.59%,RMSE分别为0.012和0.015 Ω;RS平均相对误差分别为1.22%和2.77%,RMSE分别为0.001 5和0.003 4 Ω。本研究提出的RD,S模型具有更低的平均相对误差和均方根误差,能够更加准确地表征GaN HEMT线性工作区RD,S随漏源电流IDS的变化。可将本模型用于器件的设计优化,也可作为Spice模型用于电路仿真。