热载流子效应对n-MOSFETs可靠性的影响

华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2003, Vol. 31 ›› Issue (7): 33-36.

热载流子效应对n-MOSFETs可靠性的影响

朱炜玲黄美浅章晓文陈平李观启

1. 华南理工大学应用物理系, 广东广州 510640；2. 信息产业部电子5所, 广东广州 510640

出版日期:2003-07-20 发布日期:2022-09-26
通信作者: 朱炜玲(1975一)，女，硕士，主要从事微电子学研究。
作者简介:朱炜玲(1975一)，女，硕士，主要从事微电子学研究。

Influence of Hot-Carrier-Effect on Reliability of n-MOSFETs

ZHU Weiling HUANG Meiqian ZHANG Xiaowen CHEN Ping LI Guanqi

Online:2003-07-20 Published:2022-09-26
Contact: 朱炜玲(1975一)，女，硕士，主要从事微电子学研究。
About author:朱炜玲(1975一)，女，硕士，主要从事微电子学研究。

摘要/Abstract

摘要： 研究热载流子效应对不同的沟道长度n-MOSFETs退化特性的影响。结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,当沟道长度小于1μm时退化加快更显著。这些结果可以用热载流子注入后界面态密度增加来解释。

关键词: 热载流子效应, MOSFET, 跨导, 阈值电压, 可靠性

Abstract: Influence of hot-carrier-effect on degradation characteristics of different channel length n-MOSFETs have been investigated. As the channel length of device decreases, the rate of transconductance degradation is fast, especially when its channel length is less than 1 um, the rate of transconductance degradation is faster. These results can be explained by interface state density increased after hot carrier injection.

Key words: hot-carrier-effect, MOSFET, transconductance, threshold voltage, reliability

朱炜玲, 黄美浅, 章晓文, 等. 热载流子效应对n-MOSFETs可靠性的影响[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2003, 31(7): 33-36.

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