华南理工大学学报(自然科学版) ›› 2019, Vol. 47 ›› Issue (2): 9-15.doi: 10.12141/j.issn.1000-565X.180218
梁振1, 2 李斌1 黄沫1† 徐肯2 叶晖2
LIANG Zhen1, 2 LI Bin1 HUANG Mo1 XU Ken2 YE Hui2
摘要: 采用0. 11μm 1P6M CMOS 工艺设计与研究了一款适用于蓝牙极性调制发射机 的两点调制锁相环. 为了校正锁相环中两个相位调制路径的环路增益,降低采用该锁相环 的发射机的频移键控误差,提出了一种新型的增益校正方法,并基于该方法设计了低相位 噪声、低锁定时间的两点调制锁相环电路. 芯片的测试结果表明,当压控振荡器震荡在 4. 8GHz时,该锁相环在偏离 4. 8 GHz 10 kHz、 1 MHz 和 3 MHz 时的相位噪声依次为 - 83、 -108和 -114dBc/Hz,采用该锁相环的极性调制发射机发射 0 dBm 信号时频移键控误差 为2. 97%,该锁相环的芯片面积为0. 32mm2,整体性能满足蓝牙射频芯片测试规范要求.
中图分类号: