硅基半导体热滞现象的研究

doi:10.3969/j.issn.1000-565X.2017.01.007

华南理工大学学报（自然科学版） ›› 2017, Vol. 45 ›› Issue (1): 48-52.doi: 10.3969/j.issn.1000-565X.2017.01.007

• 电子、通信与自动控制 • 上一篇下一篇

硅基半导体热滞现象的研究

孙志刚何雄谢晴兴李月仇庞雨雨

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，湖北武汉 430070

收稿日期:2015-11-20 修回日期:2016-07-13 出版日期:2017-01-25 发布日期:2016-12-01
通信作者: 孙志刚( 1969-) ，男，教授，主要从事非磁性半导体电输运性能研究． E-mail:sun_zg@whut.edu.cn
作者简介:孙志刚( 1969-) ，男，教授，主要从事非磁性半导体电输运性能研究．
基金资助:
国家自然科学基金资助项目( 11574243， 11174231)

Research on Thermal Hysteresis of Silicon-Based Semiconductor

SUN Zhi-gang HE Xiong XIE Qing-xing LI Yue-chou PANG Yu-yu

State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070,Hubei,China

Received:2015-11-20 Revised:2016-07-13 Online:2017-01-25 Published:2016-12-01
Contact: 孙志刚( 1969-) ，男，教授，主要从事非磁性半导体电输运性能研究． E-mail:sun_zg@whut.edu.cn
About author:孙志刚( 1969-) ，男，教授，主要从事非磁性半导体电输运性能研究．
Supported by:
Supported by the National Natural Science Foundation of China( 11574243， 11174231)

摘要/Abstract

摘要： 采用四线法研究Ag /SiO2 /p-Si∶B /SiO2 /Ag 器件在不同温度下的电输运性能( V-I特性) ，在低温V-I 特性曲线中观察到了明显的热滞现象．为了消除热滞现象带来的实验
误差，文中提出了采用增强系统热传导以及延长连续两次测量的间隔时间的方法，并通过延长连续两次测量时间间隔的方式消除了热滞对器件电输运性能的影响．结果表明，在进行半导体基材料的电性能及磁阻效应的研究时，必须考虑热效应可能带来的影响，否则将导致错误的实验结果．

关键词: 热滞, 电性能, 硅基半导体

Abstract:

In this paper,the electrical transport properties ( V-I characteristics) of Ag /SiO2 /p-Si ∶ B /SiO2 /Ag device at different temperatures are investigated by means of four-wire method,finding that an obvious thermal hysteresis phenomenon occurs in V-I curves at low temperatures.In order to eliminate the experimental errors caused by the thermal hysteresis,two methods of prolonging the interval between two consecutive measurements and improving the heat conduction ability of system are proposed,and the first method is used to remove the effects of the thermal hysteresis on the electrical transport properties of the device.The results show that when the electrical properties and magnetoresistance effects of semiconductor-based materials are investigated,the thermal hysteresis phenomenon should be treated carefully,otherwise it may lead to erroneous results.

Key words: thermal hysteresis, electrical properties, silicon-based semiconductor

中图分类号:

O472+.2

孙志刚何雄谢晴兴李月仇庞雨雨. 硅基半导体热滞现象的研究[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2017, 45(1): 48-52.

SUN Zhi-gang HE Xiong XIE Qing-xing LI Yue-chou PANG Yu-yu. Research on Thermal Hysteresis of Silicon-Based Semiconductor[J]. Journal of South China University of Technology (Natural Science Edition), 2017, 45(1): 48-52.

[1]	陈明东韩光泽. 碳纳米管结构参数对其介电性能的影响[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2021, 49(4): 74-79,89.
[2]	刘述梅, 陈嘉骏, 吴彦诚, 等. 侧基取代对羟基芴Cardo结构聚酰亚胺性能的影响[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2021, 49(12): 16-22.
[3]	杜群贵邹杰慧陈水金高俊岭. 半导体热电转换单元发电性能的变物性计算模型[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2013, 41(4): 47-53.
[4]	王敏郭会勇黄文波李文芳张果戈. BaTiO₃介电薄膜的微弧氧化制备及表面形貌[J]. 华南理工大学学报（自然科学版）, 2011, 39(11): 109-113,119.

硅基半导体热滞现象的研究

Research on Thermal Hysteresis of Silicon-Based Semiconductor

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 4

编辑推荐

Metrics

本文评价